Miguel Ángel Vidal Borbolla

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Perfil del investigador

Miguel Ángel Vidal Borbolla

Datos personales:

Grado Académico: Doctorado

Nivel SNI: III

ORBIS ID: n70874

Datos Institucionales:

Entidad Académica: Facultad de Ciencias

Dirección de oficina: Av. Chapultepec 1570 Privadas del Pedregal CP. 78295 San Luis Potosí

Teléfono: (+52) 4448262300

Ext.: 8415

Correo electrónico: miguel.vidal@uaslp.mx

Doctorado en Departamento de Ingeniería Eléctrica
Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional
Maestría en Escuela Superior de Física y Matemáticas, IPN
Instituto Politécnico Nacional
Licenciatura en Física y Matemáticas
Instituto Politécnico Nacional

Intereses de investigación personales

Nanociencias y nanotecnologia organica electro-activa
Sintesis de Semiconductores
Emisores y Detectores de Radiación de Radiación Visible Infrarroja

Intereses del grupo de investigación

Síntesis de Semiconductores
Emisores y Detectores de Radiación Uv, Visible e Infrarroja

Artículo
- Evaluation of nanoindentation characteristics of cubic InN epilayer grown by Molecular Beam Epitaxy. Thin Solid Films. 736:-. 2021-01-01
- Molecular dynamics simulation of cubic InxGa(1-x)N layers growth by molecular beam epitaxy. Computational Materials Science. 193:-. 2021-01-01
- Critical thickness as a function of the indium molar fraction in cubic InXGa1-XN and the influence in the growth of nanostructures. Materials Science in Semiconductor Processing. 115:-. 2020-01-01
- Elastic modulus and hardness of cubic GaN grown by molecular beam epitaxy obtained by nanoindentation. Thin Solid Films. 699:-. 2020-01-01
- Effects of Mg incorporation in cubic GaN films grown by PAMBE near Ga rich conditions. Materials Science in Semiconductor Processing. 93:196-200. 2019-01-01
Capítulo de Libro
- Growth of InN and In-rich Group III-nitride alloys in cubic phase. Crystal Growth: Theory, Mechanisms and Morphology. 125-154. 2012-01-01