Jorge Ortega Gallegos

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Perfil del investigador

Jorge Ortega Gallegos

Datos personales:

Grado Académico: Doctorado

Nivel SNI: I

ORBIS ID: n70601

Datos Institucionales:

Entidad Académica: Facultad de Ciencias

Dirección de oficina: Av. Chapultepec 1570 Privadas del Pedregal CP. 78295 San Luis Potosí

Correo electrónico: jorge.ortega@uaslp.mx

Doctorado en Física Aplicada
Universidad Autónoma de San Luis Potosí
Maestría en Universidad Autónoma de San Luis Potosí
Universidad Autónoma de San Luis Potosí
Licenciatura en Instituto Tecnológico de San Luis Potosí
Instituto Tecnológico de San Luis Potosí

Intereses del grupo de investigación

Propiedades Ópticas de Semiconductores
Películas Delgadas
Energía Solar Fotovoltaica
Instrumentación y Control de Procesos

Artículo
- Raman study of directly synthetized graphene oxide films on Si, SiO2/Si and GaAs by remote-catalyzed CVD. Physica B: Condensed Matter. 669:-. 2023-01-01
- Real-time reflectance anisotropy spectroscopy of GaAs homoepitaxy. Applied Optics. 59:D39-D42. 2020-01-01
- Temperature-dependent infrared ellipsometry of Mo-doped VO2 thin films across the insulator to metal transition. Scientific Reports. 10:-. 2020-01-01
- An algorithm for the in situ analysis of optical reflectance anisotropy spectra. Journal of Crystal Growth. 515:9-15. 2019-01-01
- Differential reflectance contrast technique in near field limit: Application to graphene. AIP Advances. 9:-. 2019-01-01