Andrei Yurievich Gorbatchev

Búsqueda avanzada

Contacto:

gci@uaslp.mx

Búsqueda Investigador

Perfil del investigador

Andrei Yurievich Gorbatchev

Datos personales:

Grado Académico: Doctorado

Nivel SNI: I

ORBIS ID: n70331

Datos Institucionales:

Entidad Académica: Facultad de Ciencias

Dirección de oficina: Av. Chapultepec 1570 Privadas del Pedregal CP. 78295 San Luis Potosí

Teléfono: (+52) 4448250183

Ext.: 124

Correo electrónico: andrei.gorbatchev@uaslp.mx

Doctorado en A.f.ioffe Physico-technical Institute, St.-petersburg
Ioffe Physico-Technical Institute
Maestría en Saratov State University
Saratov State University

Intereses del grupo de investigación

Fabricación de Emisores y Detectores de Luz

Artículo
- Hyperbolic-tangent composition-graded InxGa1-xAs/GaAs (100) structures grown by molecular beam epitaxy. Materials Science in Semiconductor Processing. 142:-. 2022-01-01
- Analysis of thermodynamic conditions to grow GaAsP epitaxial layers by LPE on GaAs and GaP substrates. MRS Advances. -. 2020-01-01
- Crystalline Truncated Micropyramids Grown from GaAs Liquid Phase on GaP (001) Substrates. Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 217:-. 2020-01-01
- GaAs/InGaAs heterostructure strain effects on self-assembly of InAs quantum dots. Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. 124:-. 2020-01-01
- InAs quantum dots nucleation on (100) and anisotropic (631)-oriented GaAs substrates. Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. 95:22-26. 2018-01-01